또한 하이닉스는 이 제품이 미국 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품이며, 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이라고 덧붙였다.
이번에 개발된 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 하이닉스가 양산 중인 54나노 공정에 비해 약 50%이상 생산성이 향상돼 향후 D램 시장에서 하이닉스의 주력 상품이 될 전망이다.
기가비트(Gb)란, 2진수(0 또는 1)로 표현되는 신호의 최소단위로 1억비트에 해당한다.
또 이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)다. 하이닉스는 이에 대해 '3차원 트랜지스터 기술'로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화 하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했기 때문이라고 설명했다.
하이닉스 관계자는 "40나노급 공정은 대부분의 D램 업체들이 오는 2010년 이후 개발을 목표로 하고 있는 차세대 D램 제조 공정 기술"이라고 밝혔다.
하이닉스 관계자는 또 "오는 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산할 예정"이라며 "향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사에 비해 한 세대 앞선 공정기술을 적용한 제품으로 시장을 선도할 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.
◇용어설명
◆비트(소문자 표기 b)
메모리가 기억하는 정보의 최소단위로, 이진법의 한 자리수로 표현된다.
◆바이트(대문자 표기 B)
정보를 표현하는 기본 단위로, 8개 비트를 묶어 바이트라고 한다.
◆3차원 트랜지스터
트랜지스터는 전류가 흐르는 일정 길이가 확보되어야 안정적으로 동작할 수 있는데, 나노급 제품에서 필요한 트랜지스터 길이를 확보하기 위해 실리콘 표면을 깎아내어 전류가 움푹 패인 표면을 따라 흐르게 만든 트랜지스터를 3차원 트랜지스터라고 한다.
경인북도일보
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